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            SK海力士方案本年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度

            admin 2019-08-22 244人围观 ,发现0个评论

            SK 海力士表明,该公司将比本年早些时候愈加积极地提早削减 3D NAND 晶圆的产能,而SK海力士方案本年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度且重新考虑装置其 M15 和 M16 晶圆厂的方案,以削减企业本钱开销。实际上,由于 3D NAND 存储器商场呈现了供过于求的现张蔷象,制造商们不得不减产以安稳价格。比方本年早些时候,SK 曾方案将 3D NAND 晶圆产值削减 10% 。不过本周的最新方案,现已调整到减产 15%(与 2018 比较)。

            (图自:SK HSK海力士方案本年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度ynix,via AnandTech)

            2019 年 2 季度,SK 海力士的 NAND 闪存出货量环比添加了 40%,由于该公司添加了 72 层 3D NAND 的产值。传统上 1 季度需求较缓但整体添加,但与此同时,3D NAND 的均价跌了 25%,这也是 SK 海力士决议减产的主要原因。

            跟着 SK 海力士和其它 NAND 闪存制造商向更先进的 3D NAND 规划过渡 —— 层数更多,或启用 3D QLC、每单元比特位密度更高 —— 某种程度上就会形成供给过剩,才导致将晶圆削减 10-15%,都不足以下降平等容量的产能。

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            SK 海力士现在为数据中心和干流 SSD 商场出产 72 层 3D NAND,512 Gb 96 层 3D TLD NAND 已于上一年 11 月投产、且该公司方案很快添加 96 层 3D NAND 的产值。

            此外,SK 海力SK海力士方案本年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度士最近开端进步 1 Tb“4D”TLC NAND 的产值 —— 这种电荷圈套闪存(CTF)规划,采用了单元外设(PUC)架构,有望明显提高现在出货的 3D NAND 的比特位密度,并进一步增强产能输出。

            最终,除了削减 3D NAND 晶圆的开工数量,SK 海力士还将怠慢韩国清州邻近 M15 工厂的洁净室空间扩张速度(该工厂可出产 DRAM 和 3D NAND),并推迟利川邻近 M16 工厂的设备装置。

            尽管 SK 海力士没有给出具体的阐明,但其表明 —— 与 2019 年比较,该决议将明显下降 2020 年的本钱开销,意味着该工厂的新产能或许不会在下一年上线。

            SK海力士方案本年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度
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